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大庆一硼化二钨,Tungsten boride,W2B

大庆一硼化二钨,Tungsten boride,W2B

  • 所属分类:大庆硼化钛锆铪钨等
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  • 发布日期:2026-07-27 14:52:46
  • 产品概述
  • 性能特点
  • 技术参数

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产品名称:一硼化二钨(W2B)
规格:0.8-10um(D50)
形貌:不规则
颜色:黑灰色
特点:高熔点、高硬度、化学稳定性、良好的金属导电性、以及优良的耐磨性和高韧性
用途:化学稳定性较好、电阻温变特性明显、可磁控溅射制薄膜,区别于超硬的 WB、WB₂,侧重电子薄膜、功能涂层、高温耐磨、核防护、光学器件五大方向

碳化钇

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碳化钇

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碳化钇

3.png碳化钇

中文名:硼化二钨
外文名:Tungsten Boride
分子式:BW2
分子量:378.49
CAS号:12007-10-2
密    度:1.6(g/mL,25/4℃)
熔    点:2670(ºC)
性    质:硼化钨具有高熔点、高硬度、高电导率、耐磨损、耐高温以及耐腐蚀性能,还兼具中子和γ射线综合屏蔽性能。
合成方法:
固相法:以金属钨和硼为原料制备硼化钨,反应式如下。将化学计量的金属钨粉和元素硼充分混合、研磨、成型,在1400℃以上加热反应得硼化钨。继续反应生成W2B,经冷却、粉碎得产品。
应用领域:
一、半导体与微电子电子工业(最核心应用)
1.溅射靶材、芯片薄膜沉积W₂B 制成溅射靶,通过磁控溅射、离子束溅射在晶圆、PCB、芯片元器件表面镀薄膜,用作集成电路金属阻挡层、欧姆接触层,阻挡铜扩散,提升芯片可靠性。
2.温度敏感热敏电阻(热敏元件)电阻率随温度变化幅度大,可制备负 / 正温度系数热敏电阻(热阻器),用于电路过温保护、温度传感、温控检测模块。
3.场发射电子器件具备优异场电子发射性能,用于微型场发射阴极、真空微电子器件、微型显示屏发射极。
4.精密电阻元件高温下阻值稳定性强,制作大功率、耐高温精密固定电阻。
二、光通信与光学调制器件
1.兼具特定光吸收与反射特性,作为光调制材料,加工成光开关、光纤光衰减器、光信号调制芯片,应用于高速光通信链路;
2.红外波段稳定,可作为红外窗口耐磨防护镀层。
三、机械制造、耐磨耐高温涂层与超硬复合材料
1.零部件耐磨防腐涂层等离子喷涂、PVD 沉积 W₂B 涂层,用于轴承、齿轮、液压阀芯、模具、冲压工装,提升耐磨、抗咬合、耐酸碱腐蚀能力,高温工况不易氧化失效;
2.硬质合金增强相少量添加至 WC 硬质合金、钨基合金中,改善合金韧性、高温强度,用于高端切削刀具、矿山钻探钻头、石油钻井耐磨复合片;
3.高温耐火结构件高熔点、低热膨胀系数,作为高温炉衬、坩埚、高温治具的烧结组分之一。
四、航空航天、国防军工领域
1.飞行器高温防护涂层用于发动机零部件、尾喷管、热端构件表面涂层,抵御高温燃气冲刷、高温氧化与热震冲击;也可作为镍基高温合金基体的增强颗粒,制备超高温轻量化复合材料;
2.装甲与防护材料高密度 + 良好韧性,作为装甲复合材料填充相,提升抗侵彻性能;
3.极端环境耐腐蚀构件航天、海洋装备强腐蚀工况下的结构镀层。
五、核工业辐射屏蔽材料(重要特色用途)
1.钨高密度可屏蔽 γ 射线,硼元素(¹⁰B)高效俘获热中子,W₂B 兼具中子 + 伽马射线双重屏蔽能力;
2.粉末冶金制备钨硼化物 - 铝基 / 钛基复合屏蔽板材,用于反应堆辅助屏蔽、放射性实验装置防护、乏燃料存储容器内衬;
3.耐辐照、高温下结构稳定,适合核堆周边高温辐照环境使用。
六、其他小众前沿应用
1.催化材料过渡金属硼化物本征催化活性,在析氢反应、加氢催化中作为非贵金属催化剂研究对象;
2.腐蚀环境电极导电 + 耐酸碱,用作电解工业耐腐蚀惰性电极。
包装储存:
本品为惰气防静电包装,应密封保存于干燥、阴凉的环境中,不宜长久暴露于空气中,防受潮发生团聚,影响分散性能和使用效果。


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